導(dǎo)言：于8月30日出版的《福布斯》發(fā)表文章指出，英特爾于2004年8月30日正式對外宣布將于2005年正式生產(chǎn)基于65納米技術(shù)的電腦芯片產(chǎn)品，并且?guī)в?0MB的SRAM的測試芯片產(chǎn)品目前已經(jīng)進入了生產(chǎn)階段。 　　英特爾的消息給業(yè)界帶來了巨大的震動，因為憑借這項技術(shù)，英特爾成為了進軍芯片高端生產(chǎn)，即擁有如此精密芯片制造技術(shù)領(lǐng)域的第一人。另一方面隨著芯片生產(chǎn)技術(shù)的提高，芯片設(shè)計者現(xiàn)在擁有了更多的資源充分發(fā)揮自己的構(gòu)想。此次英特爾用自己的實際行動捍衛(wèi)了公司創(chuàng)建者之一摩爾鼎鼎大名的摩爾定律：芯片產(chǎn)品中整合的晶體管數(shù)量將會在18到24個月之中得到翻倍的增長。 　　作為世界上最大的芯片制造商，英特爾一直致力于芯片工業(yè)的發(fā)展，正是它的一次次技術(shù)革新為如今的電腦用戶帶來了如此強勁的性能，從早期的130納米技術(shù)到現(xiàn)在流行的90納米芯片技術(shù)，英特爾立下了赫赫戰(zhàn)功，而這次英特爾又用實際行動延續(xù)了自己的輝煌。 　　“這次的技術(shù)革新給我留下了極為深刻的印象?！奔~約Envisioneering Group公司調(diào)查機構(gòu)總裁理查德表示，“英特爾的成功將幫助整個業(yè)界前進一大步?！? 　　鑒于過去幾年中英特爾公司在芯片技術(shù)上的按兵不動，理查德表示公司在向90納米技術(shù)進化的道路上所遇到的困難顯然要大大多于向65納米技術(shù)進化中所遇到的。 　　新型芯片中的晶體管中包括一種門電路，這種電路控制晶體管的開關(guān)狀態(tài)，這種門電路的大小達到了35納米，僅僅是90納米芯片時代的30%。英特爾方面表示100個這種新型門電路加起來的直徑才等于人體血紅細胞的直徑。 　　英特爾公司本身并不自行銷售SRAM芯片產(chǎn)品，但是SRAM被英特爾用來作為新技術(shù)開發(fā)的測試載體。大約1000萬個SRAM芯片上的晶體管加起來所占的面積才不過1平方毫米，這個面積大約等于一枝圓珠筆尖，英特爾用來開發(fā)芯片產(chǎn)品的實驗室在俄勒岡州的Hillsboro研究中心，中心的大小相當(dāng)于三個足球場那么大。 　　目前英特爾公司計劃與兩家芯片制造工廠進行合作生產(chǎn)新型芯片產(chǎn)品，地點分別是亞利桑那州的Scottsdale市以及愛爾蘭。 　　更為小型的芯片對于那些個人電腦制造商來說無異于天大的喜訊，他們包括戴爾，惠普，以及Gateway，更為小型的體積帶來了更為靈活的設(shè)計，并且小型的芯片還意味著功耗的降低，于是那些制造讓人發(fā)瘋的噪音的風(fēng)扇等降溫裝置可以逐漸的被更為安靜的設(shè)備所取代。 　　并且尺寸的降低使得芯片設(shè)計者們可以擁有更高的設(shè)計靈活性，可以在條件允許的情況下盡可能的提高產(chǎn)品的工作頻率。不過在最近幾年中在芯片設(shè)計領(lǐng)域遇到了諸多的困難影響了產(chǎn)品性能的進一步提升，其中最為顯著的就是晶體管熱泄漏現(xiàn)象。 　　上述現(xiàn)象的具體解釋如下：隨著晶體管體積的逐漸減小，它們之間的距離也變得越來越小，這也將導(dǎo)致了能量的流失從而影響產(chǎn)品的性能。為了彌補這種情況造成的損失，芯片中就需要更多的能量來維持正常的運轉(zhuǎn)，這也將增加產(chǎn)品的發(fā)熱量，然而晶體管的理想狀態(tài)是完全的不散熱，就好像一個發(fā)光但不發(fā)熱的燈泡一樣。 　　對于這個難題，英特爾使用了一種名為“收縮硅片”的技術(shù)，通過這種技術(shù)，那些發(fā)熱的電子可以被完全控制，從而晶體管熱泄漏現(xiàn)象得以很好的解決，這種技術(shù)在90納米芯片產(chǎn)品中就得以廣泛的應(yīng)用，而隨著65納米技術(shù)新型芯片的呼之欲出相信“收縮硅片”技術(shù)將得以更為充分的應(yīng)用。 　　英特爾方面表示新型芯片產(chǎn)品中將整合“收縮硅片”技術(shù)的第二代，在沒有增加晶體管熱泄漏的情況下可以將晶體管的性能提高10%到15%。當(dāng)芯片中的晶體管與老型號的90納米芯片運行于相同狀態(tài)當(dāng)中的時候，新型芯片產(chǎn)品中的晶體管泄漏效果將降低到過去的四分之一。 　　“收縮硅片”技術(shù)的原理如下：通過強迫硅片中的原子分開存在，從而使得電子不得不運行在一條更長的軌道上，這也使得它們以更高的速度運動，進而提高了芯片中晶體管的運轉(zhuǎn)速度。 　　上周英特爾的主要競爭對手AMD表示它已經(jīng)開始在其90納米芯片制造過程中使用了“收縮硅片”技術(shù)。與此同時藍色巨人IBM也開始在其芯片生產(chǎn)過程中使用“收縮硅片”技術(shù)。 　　為了進一步降低產(chǎn)品的功耗，英特爾在最近又找到了一條新的辦法，名為：睡眠晶體管。當(dāng)SRAM中的大板塊沒有被應(yīng)用的時候，芯片中關(guān)于這一部分的區(qū)域?qū)詣犹幱陉P(guān)閉狀態(tài)。這種新技術(shù)在一些對于能源功耗要求極高的領(lǐng)域具有重大的意義，例如使用電池作為能源的筆記本電腦產(chǎn)品。大多數(shù)微處理器中都整合有SRAM作為暫存機構(gòu)，其的作用是在處理器處理數(shù)據(jù)的同時充當(dāng)臨時數(shù)據(jù)存儲機構(gòu)的角色。而在工作的間歇時期能夠停止運轉(zhuǎn)可以大大的降低功耗從而降低芯片的散熱要求。 　　這次英特爾對于新型芯片技術(shù)的公布恰逢季度中的新聞發(fā)布會前夕，相信英特爾的好消息可以在9月2日的新聞發(fā)布會上得到熱烈的反響，而公司的股票也有望再創(chuàng)新高。上周波士頓的Credit Suisse First Boston表示英特爾的季度銷量將會逐漸攀升，甚至超過公司之前的預(yù)期，并且這種強勁的勢頭有望一直持續(xù)到2005年。Credit Suisse First Boston表示英特爾的股票預(yù)期將會增長到每股31美元的水平，而上周五股市收盤之后，英特爾的股價僅僅是每股22.02美元，比前一個交易日上漲了2美分。 　　這次英特爾摩爾計劃的恢復(fù)也許標(biāo)志著公司瘋狂腳步的開始，如果一切正常，下一步公司的目標(biāo)將會是45納米技術(shù)芯片，時間大約是2007年當(dāng)中。英特爾方面也表示他們還在對于“收縮硅片”技術(shù)進行進一步的研究，爭取在最短的時間內(nèi)推出下一代芯片技術(shù)。 　　加州調(diào)查機構(gòu)VLSI Research總裁單-惠特森表示：“就在一些人表示摩爾定律不復(fù)存在，過去的兩年周期將會被延長到三年的時候，英特爾用自己的行動回斥了他們?，F(xiàn)在英特爾可以驕傲的對外界宣布--摩爾定律仍然存在，英特爾將會作為永遠的守護者?！?