三星成功開發(fā)世界最大容量納米半導(dǎo)體 (2004-10-10)
發(fā)布時(shí)間:2007-12-04
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來源:民營經(jīng)濟(jì)報(bào)
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韓國三星電子公司最近開發(fā)成功大容量納米半導(dǎo)體??60納米8千兆位閃存。據(jù)稱這是目前世界上容量最大的納米半導(dǎo)體。
據(jù)韓國各大媒體報(bào)道,60納米8千兆位閃存用直徑相當(dāng)于一根頭發(fā)絲兩千分之一的電路線制成,其成品外形類似16兆位半導(dǎo)體卡,規(guī)格僅有半個(gè)名片盒大小,但其儲(chǔ)存容量很大。一塊8千兆位閃存可存儲(chǔ)6.4萬張(版)報(bào)紙的文字信息,或存儲(chǔ)10多部DVD電影,或40MP3歌曲。100塊8千兆位閃存即可將韓國最大的圖書館??漢城大學(xué)圖書館擁有的200萬冊(cè)藏書全部存儲(chǔ)進(jìn)去。8千兆位閃存可用作手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、數(shù)碼攝像機(jī)的主存儲(chǔ)器。
閃存是一種新型的半導(dǎo)體芯片,其主要特點(diǎn)是在電器斷電時(shí)能保存數(shù)據(jù)不丟失。閃存是生產(chǎn)手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)等必不可少的元件。納米技術(shù)的精度決定了閃存容量的大小,裝在半導(dǎo)體基板上的電路線直徑越小,閃存容量就越大。
三星公司1999年和2000年分別開發(fā)成功256兆位和512兆位閃存。2001年,三星公司首次采用納米技術(shù)開發(fā)成功100納米千兆位閃存。2002年和2003年,三星公司又先后推出90納米2千兆位和70納米4千兆位閃存。
三星公司此次同時(shí)推出80納米2千兆位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM),這種存儲(chǔ)器具有極大的信息存儲(chǔ)功能,一般用于超高速大容量服務(wù)器。正在研發(fā)的第四代手機(jī)即智能手機(jī)就將采用這種80納米2千兆位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。