由中科院半導體所和中科光電有限公司共同承擔的國家“863”計劃光電子材料與器件主題項目“氮化鎵基激光器”獲得重大突破，在中國大陸首次研制成功具有自主知識產(chǎn)權的氮化鎵基激光器原型。該氮化鎵基激光器采用在藍寶石襯底上外延的多量子阱增益波導結(jié)構(gòu), 激射波長為410nm,條寬5μm,條長800μm,激射閾值50KA/cm2. 　　通過近三年上千爐的MOCVD材料生長實驗和上百次的器件工藝實驗，課題組艱苦攻關,積極創(chuàng)新，攻克了氮化鎵基激光器研究中材料生長、器件工藝、器件測試等一系列技術難題,將氮化鎵材料本底電子濃度降到小于5X1016/cm3,室溫電子遷移率達到850cm2/VS，進入世界先進行列。實現(xiàn)了AlGaN/GaN超晶格界面平整度和應力的控制，獲得了粗糙度小于1nm的激光器腔面。突破了氮化鎵基激光器的測試技術難題,研究開發(fā)了與該激光器配套的驅(qū)動技術,滿足了氮化鎵基激光器的測試要求。 　　氮化鎵基激光器是目前氮化鎵基光電子材料與器件領域國際上競爭最激烈,技術難度最大,最具挑戰(zhàn)性和標志性的研究方向，這種短波長半導體激光器的研發(fā)已經(jīng)成為世界各國科學家研發(fā)的焦點和重點。